全球最高精度光刻機出爐，并非ASML生產的？

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提及光刻機，相信更多人首先想到的肯定是ASML，畢竟這個企業是目前市場的佼佼者，也是唯一能夠生產EUV光刻機的半導體設備供應商。
目前ASML更是研發出了0.55NA的EUV光刻機，能夠實現2nm制程，可以說是目前世界領先水平，但并不是全球最高精度光刻機。

而真正的全球最高精度光刻機卻并非ASML生產的？那麼這款全球最高精度光刻機是什麼？到底是誰生產的？
這款全球最高精度光刻機是什麼？眾所周知，目前ASML正在研發更新一代的EUV光刻機，也就是High-NA EUV 光刻機，基于將數值孔徑從0.33提升到0.55的情況下，能夠實現2nm制程工藝芯片的量產需求。
目前這款High-NA EUV 光刻機只是已經通過了技術驗證和測試，尚未上市，不過已經有著價格定位出爐。

根據公開數據顯示，EUV光刻機的價格大概在2000億韓元至3000億韓元之間，折合人民幣大概是10.08億元至15.12億元之間，折合美元大概是1.6億元至2.4億元之間。
反觀High-NA EUV 光刻機則高達5000億韓元，折合人民幣大概處于25.2億元左右，而折合美元大概處于4億元的位置。
由此可見，這款High-NA EUV 光刻機的價格是相當昂貴的，畢竟是目前市場上流通的稀缺先進制程半導體制造設備。

而上面提及的全球最高精度光刻機就是「ZyvexLitho1」，目前來說這款光刻機系統是全球最高分辨率的亞納米分辨率光刻系統。
「ZyvexLitho1」是誰生產的？出自知名度不高的美企Zyvex Labs之手，令人震撼的是這款「ZyvexLitho1」光刻系統可以實現0.768nm線寬的芯片，大家可以將這個線寬理解成制程，畢竟相差并不大。
相比于ASML的2nm制程High-NA EUV 光刻機來說，這款ZyvexLitho1光刻系統已經不在同一個數量級制程上，0.768nm的線寬代表著「ZyvexLitho1」已經踏入了埃米級。

大家都知道，按照摩爾定律，電子硅基芯片的物理極限處于1nm制程水平，作為目前國際市場上最強半導體設備供應商ASML所打造的High-NA EUV 光刻機都無法量產1nm制程。
由此可見這個概念的差距有多大，但卻被知名度不高的美企Zyvex Labs所突破，這出乎了所有人的意料之外。
由于筆者只是一枚文科生，對于ZyvexLitho1光刻系統的整體原理并不是特別理解，這波就不講述其工作原理和結構組織了。

不過要知道的一點就是ZyvexLitho1光刻系統確實做到了ASML的High-NA EUV 光刻機做不到的事情，也證明了這個光刻系統的強大之處。
ZyvexLitho1光刻系統的核心技術是電子束光刻（EBL）技術。
而電子束光刻（EBL）技術有一個主要缺陷，那就是無法做到大規模量產，那麼量產速度將會成為一個嚴重問題。

反觀High-NA EUV光刻機本身就是主打大規模量產的，是針對市場需求進行設計的設備，所以針對于市場上的需求性來說，ZyvexLitho1光刻系統的優勢并不大。
尤其是如今EUV光刻機打造出來的先進制程智慧型手機芯片，對于大眾用戶而言，已經屬于飽滿的狀態，甚至有些性能過剩了，所以針對于摩爾定律的物理極限之前，電子硅基芯片的性能完全已經夠用了。
當然，基于電子束光刻（EBL）技術突破的電子硅基芯片，確實可以實現更高的性能，但這個水平的性能對于用戶而言已經沒有太過必要了。